Pes temperatura poli-kremniý tehnologiýasy LTPS (Pes temperatura poli-kremniý), ilki bilen Note-PC displeýiniň energiýa sarp edilişini azaltmak we Note-PC-iň inçe we ýeňil görünmegi üçin ýapon we Demirgazyk Amerikanyň tehnologiýa kompaniýalary tarapyndan işlenip düzüldi.1990-njy ýyllaryň ortalarynda bu tehnologiýa synag etabyna girizilip başlandy. OLED organiki ýagtylyk çykaryjy paneliň täze neslinden alnan LTPS hem 1998-nji ýylda resmi taýdan ulanylyp başlandy, iň uly artykmaçlyklary aşa inçe, ýeňil agram, pes güýç sarp etmek, has ajaýyp reňkler we has düşnükli şekiller berip biler.
Pes temperatura polisilikon
TFT LCDpolikristally kremnini (Poly-Si TFT) we amorf kremnini (a-Si TFT) bölmek mümkin, bu ikisiniň arasyndaky tapawut dürli tranzistor aýratynlyklarynda ýerleşýär. Polisilikonyň molekulýar gurluşy däne görnüşinde tertipli we gönüden-göni ýerleşdirilýär, şonuň üçin elektron hereketi amorf kremniniňkiden 200-300 esse çaltdyrTFT-LCDEsasy LCD önümleri üçin amorf kremnini, ýetişen tehnologiýany aňladýar. Polisilikon esasan iki görnüşi öz içine alýar: ýokary temperatura polisilikon (HTPS) we pes temperatura polisilikon (LTPS).
Pes temperatura poli-kremniý; Pes temperatura poli-kremniý; LTPS (inçe film tranzistor suwuk kristal displeýi) gaplamak prosesinde ýylylyk çeşmesi hökmünde eksimer lazerini ulanýar. Lazer çyrasy proýeksiýa ulgamyndan geçenden soň, birmeňzeş energiýa paýlanyşy bilen lazer şöhlesi bolar amorf kremniniň gurluşynyň aýna substratynda döredilmeli we proýesirlenmeli. Amorf kremniniň gurluşynyň aýna substraty eksimer lazeriň energiýasyny siňdirenden soň, polisilikon gurluşyna öwrüler. Sebäbi tutuş proses 600 at derejesinde tamamlanýar, şonuň üçin umumy aýna substrat ulanylyp bilner.
Chäsiýetli
LTPS-TFT LCD ýokary çözgütli, çalt reaksiýa tizligi, ýokary ýagtylyk, ýokary açylyş tizligi we ş.m. artykmaçlyklaryna eýedir, sebäbi kremniniň kristal tertibiLTPS-TFT LCDa-Si-den tertipli, elektronyň hereketi 100 esse ýokarydyr we periferiýa hereketlendiriji zynjyr şol bir wagtyň özünde aýna substratda ýasalyp bilner.Ulgam integrasiýasynyň maksadyna ýetiň, boş ýer tygşytlaň we IC çykdajylaryny sürüň.
Şol bir wagtyň özünde, sürüjiniň IC zynjyry panelde gönüden-göni öndürilýändigi sebäpli, komponentiň daşarky aragatnaşygyny azaldyp, ygtybarlylygy ýokarlandyryp, tehniki hyzmaty aňsatlaşdyryp, gurnama wagtyny gysgaldyp we EMI aýratynlyklaryny azaldyp, soňra programma ulgamynyň dizaýnyny azaldyp biler. dizaýn azatlygyny wagt we giňeltmek.
LTPS-TFT LCD, ilkinji nesil Paneldäki Ulgamy gazanmak üçin iň ýokary tehnologiýaLTPS-TFT LCDresolutionokary çözgüt we ýokary ýagtylyk effektini gazanmak üçin gurlan sürüjiniň zynjyryny we ýokary öndürijilikli surat tranzistoryny ulanmak LTPS-TFT LCD we A-Si-de uly tapawut döretdi.
Ikinji nesil LTPS-TFT LCD, analog interfeýsden sanly interfeýsine çenli zynjyr tehnologiýasynyň ösüşi arkaly energiýa sarp edilişini azaldýar. Bu nesliň daşaýjy hereketiLTPS-TFT LCDa-Si TFT-den 100 esse, elektrod nagşynyň çyzygynyň ini 4μm töweregi, bu LTPS-TFT LCD üçin doly ulanylmaýar.
LTPS-TFT LCDS 2-nji nesile garanyňda periferiýa LSI-e has gowy birleşdirildi LTPS-TFT LCDS-iň maksady
1) moduly has inçe we ýeňilleşdirmek, bölekleriň sanyny we ýygnamak wagtyny azaltmak üçin periferiýa bölekleri ýok; (2) signalönekeýleşdirilen signallary gaýtadan işlemek energiýa sarp etmesini azaldyp biler; (3) memoryat bilen enjamlaşdyrylan energiýa sarp edilişini az derejede azaldyp biler.
LTPS-TFT LCD ýokary çözgüt, ýokary reňk bilen doýmak we arzan bahaly artykmaçlyklary sebäpli täze displeý görnüşine öwrüler diýlip garaşylýar. Circuitokary zynjyr integrasiýasynyň we arzan bahanyň artykmaçlyklary bilen kiçi we ulanylanda düýbünden artykmaçlygy bar orta ölçegli ekran panelleri.
Şeýle-de bolsa, p-Si TFT-de iki mesele bar. Ilki bilen, TFT-iň öçýän toky (ýagny syzýan tok) uly (Ioff = nuVdW / L); Ikinjiden, ýokary hereketli p-Si materialyny taýýarlamak kyn pes temperaturada uly meýdan we bu işde belli bir kynçylyk bar.
Alnan tehnologiýanyň täze nesliTFT LCD.LTPS ekranlary adaty amorf kremniniň (A-Si) TFT-LCD panellerine lazer prosesi goşmak bilen öndürilýär, komponentleriň sanyny 40 göterim azaldyp, bölekleri 95 göterim azaldyp, önümiň näsazlyk ähtimallygyny ep-esli azaldýar. Ekrany möhüm hödürleýär 170 dereje gorizontal we wertikal burçlar, jogap wagty 12ms, ýagtylyk 500 nit we 500: 1 kontrast gatnaşygy bilen energiýa sarp edilişinde we çydamlylygynda gowulaşmalar.
Pes temperaturaly p-Si sürüjilerini birleşdirmegiň üç esasy usuly bar:
Birinjisi, skanirlemegiň we maglumat wyklýuçateliniň gibrid integrasiýa re modeimi, ýagny çyzyk zynjyry birleşdirilen, wyklýuçatel we smena sanawy çyzyk zynjyryna birleşdirilen we köp sanly salgy beriji we güýçlendiriji tekiz paneliň ekranyna daşarky birikdirilen; miras galan zynjyr bilen;
Ikinjiden, ähli hereketlendiriji zynjyr ekranda doly birleşdirilen;
Üçünjiden, hereketlendiriji we dolandyryş zynjyrlary ekranyň ekranynda birleşdirildi.
Şençzhenen D.isenEkran Tehnologiýa Co., Ltd.gözleg we ösüşi, dizaýny, önümçiligi, satuwy we hyzmaty birleşdirýän ýokary tehnologiýaly kärhanadyr. Ol lukmançylyk enjamlarynda, senagatda giňden ulanylýan senagat displeý ekranlaryny, senagat duýgur ekranlaryny we optiki laminasiýa önümlerini öwrenmäge we öndürmäge gönükdirilendir. elde göterilýän terminallar, “Internet of Things” terminallary we akylly öý. Bizde baý gözleg we önümçilik tejribesi barLCD ekran, senagat displeýi, senagat duýgur ekrany we doly laýyklygy we senagat displeý pudagynyň liderine degişlidir.
Iş wagty: 21-2023-nji mart
